삼성전자가 업계 최선단 12나노미터(1nm=10억분의 1)급 공정으로 16기가비트(Gb) DDR5 D램 양산을 시작했다고 18일 밝혔다. 이전 세대 제품 대비 소비전력과 생산성을 모두 20% 가량 높였다. 미세공정 한계를 돌파한 기술 초격차를 앞세워 치열한 D램 개발·양산 경쟁에서 한 발 앞서게 됐다.
12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정으로, 최선단 기술이다. 삼성전자는 지난 2020년 3월 업계 최초 EUV(극자외선) 공정 적용 D램 양산, 2021년 업계 최선단 14나노 EUV DDR5 D램 양산 등에 이어 반도체 미세화 한계를 또 한 단계 넘어섰다.
최선단 기술인 만큼 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다. 전(前) 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다.
소비전력은 이전 세대 제품보다 약 23% 개선됐다. 소비전력 개선으로 데이터센터 등을 운영하는 데 있어 전력 운영 효율을 높일 수 있다. 탄소 배출과 에너지 사용도 줄어든다.
특히 삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor) 용량을 늘렸다. D램의 커패시터 용량이 늘어나면 데이터 신호의 전위차가 커져 구분이 쉬워진다.
DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도이다. 삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 지속적으로 확대해 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다.
한편 최근 D램 메모리 시장은 업황 하락으로 불황이지만, 시장조사업체 옴디아에 따르면 2024년부터 다시 큰 폭의 성장세로 전환할 전망이다. 삼성전자는 지난해 4분기 전체 D램 시장 점유율 42.7%를 기록하며 1위를 유지하고 있다.
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