三星在全球HBM战争中夺回主导权世界首次批量生产HBM4

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三星电子在世界上首次批量生产业界最高性能的HBM4(第6代高带宽存储器),正式展开了市场竞争。

三星电子12日表示，从着手HBM4开发阶段开始，就设定了超过JEDEC(半导体国际产业标准机构)标准的性能目标，并一直在推进开发，此次产品引进了最尖端工程1c DRAM(10纳米级第6代)，在没有重新设计的情况下，从批量生产初期开始就确保了稳定的收率和性能。

三星电子负责存储器开发的副社长黄尚俊(音)表示:"三星电子HBM4打破了以往采用验证工艺的先例,采用了1c DRAM和4纳米晶圆代工等最尖端工艺","通过改善工艺竞争力和设计,充分确保了扩大性能的余力,及时满足了顾客提高性能的要求"

Sumsung电子表示,本公司HBM4稳定地确保了超过JEDEC业界标准8Gbps(每秒8千兆位)约46%的11.7Gbps的运行速度。 与之前第5代HBM3E的最大引脚速度9.6Gbps相比,提高了约1.22倍。 三星电子HBM4最多可实现13Gbps。

另外,以单一堆栈为准,总内存带宽比前作HBM3E提高了约2.7倍,最大提高到了3.3TB/s(每秒太字节)的水平,确保了超过顾客公司要求的3.0TB/s的性能。

三星电子HBM4通过12段叠层技术，达到24GB~计划提供36GB的容量,并根据顾客公司的产品日程,采用16段叠层技术,最大容量扩大到48GB。 HBM4 16段48GB是由16个3GB DRAM堆积而成的。

三星电子表示，为了解决随着数据传输I/O（存储器和图像处理装置之间交换数据的出入口）插销数量从1024个扩大到2048个而发生的电力消耗和热集中问题，在Core Die采用了低电力设计技术。

同时,通过TSV(硅贯通电极)数据收发低压设计技术的应用和电力分配网络(PDN)的优化,与上一代相比,能源效率改善了约40%。 热阻特性提高了约10%,散热特性提高了约30%。 对于客户公司来说,可以节省服务器、数据中心单位的电力消耗和冷却费用。

三星电子的战略是，今后将成为世界上唯一一家能够提供△logic△存储器△英镑（委托生产）△包装的"一站式解决方案"的综合半导体公司，以此引领市场。 特别是,计划通过自身拥有的代工工艺和HBM设计之间的紧密合作,提高质量和收益率。

三星电子表示:"预计26年本公司的HBM销售额将比2025年增加3倍以上,正在先发制人地扩大HBM4生产能力","以业界最高水平的DRAM生产能力和通过先发制人的基础设施投资确保的清洁室为基础,具备了在HBM需求扩大时也能在短期内灵活应对的生产能力" 从2028年开始正式启动的平泽工厂第2园区第5生产线将作为HBM生产的核心据点。

正在准备进一步提高动作速度和电力效率的新一代HBM4E。 预计今年下半年将出货样品。 符合各顾客公司规格的定制HBM也将从2027年开始依次出货样品。

另外,SK海力士也计划近期向NVIDIA等批量生产HBM4。

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