삼성전자가 5년 뒤인 오는 2027년 1.4나노(㎚·10억분의 1m) 공정을 적용한 반도체 양산을 선언했다. 1.4나노미터 공정 도입 시기를 밝힌 것은 삼성전자가 처음이다.
삼성전자는 3일(현지시간) 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼 2022'를 개최하고, 파운드리(반도체 위탁 생산) 사업의 로드맵과 신기술을 발표했다. 3년 만에 오프라인으로 열린 이날 행사에서 삼성전자는 1.4나노 반도체 양산 계획을 처음 공개했다.
최시영 삼성전자 파운드리사업부장인 사장은 "게이트 올 어라운드(GAA·Gate All Around) 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획"이라고 밝혔다.
GAA는 3D 구조의 핀펫(FinFET)을 넘는 차세대 트랜지스터 구조 기술. 파운드리 시장 주도권을 갖기 위해 삼성전자가 2000년대 개발을 시작한 기술로, 3나노 공정은 2017년 개발을 시작해 지난 1월 세계 최초로 3나노 1세대 공정을 세계 최초로 시작했다.
지난 6월 세계 최초로 3나노 공정 양산을 시작한 삼성전자는 2나노 공정 계획을 밝힌 적이 있지만, 1.4나노 계획을 언급한 것은 이번이 처음이다. 이에 따라 세계 1위 파운드리 업체인 대만 TSMC와 첨단 미세공정을 둘러싼 경쟁이 한층 치열해질 전망이다.
현재 3나노 공정에 들어간 TSMC도 2나노에 이어 1.4나노 공정 개발에 착수한 것으로 알려졌다. 그러나 양산 시기 등 구체적인 계획은 드러나지 않은 상태다.
삼성전자는 이와 함께 2027년까지 모바일을 제외한 제품군의 매출 비중을 50% 이상으로 키워나간다는 목표도 내놓았다. 현재 모바일에 집중된 매출을 고성능 컴퓨팅(HPC)과 오토모티브 차량용 반도체, 5G, 사물인터넷(IoT) 등 비모바일 제품군으로 확대한다는 것이다.
이를 위해 지난 6월 세계 최초로 3나노 공정 기반의 HPC 제품을 양산한 데 이어 4나노 공정을 HPC와 오토모티브로 확대하고, 비휘발성메모리(eNVM)와 무선주파수(RF)에도 다양한 공정을 개발해 나갈 예정이다.
현재 양산 중인 28나노 차량용 eNVM 솔루션은 2024년에는 14나노로 확대하고, RF 공정은 8나노에 이어 5나노도 개발 중이다. 또한 생산 능력 부족을 만회하기 위한 전략인 '쉘 퍼스트(Shell First)'도 내놓았다.
기존엔 주문을 받고 이를 위한 제조 시설을 지었지만, 앞으로는 제조 시설을 먼저 짓고 주문을 받는 방식으로 바꾼다는 것이다. 삼성전자는 쉘 퍼스트 전략을 통해 2027년까지 파운드리 생산 능력을 올해보다 3배 이상 늘릴 계획이다.
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