Samsung Electronics впервые превысила 2000 триллионов вон на рыночной капитализации с первой отправкой 12-ступенчатого образца HBM4E в мире.

*Этот контент переведен с помощью ИИ.Оригинал

Samsung Electronics продолжает летать на большой высоте.

Поскольку акции Samsung Electronics значительно выросли на новостях о отгрузке образцов памяти HBM4E седьмого поколения 29-го числа, рыночная капитализация, включая привилегированные акции, превысила 2000 триллионов вон.

Samsung Electronics объявила перед открытием первого в мире экземпляра HBM4E, продукта 7-го поколения с высокой пропускной способностью памяти (HBM), который является ключевым компонентом индустрии искусственного интеллекта (AI).

По данным Корейской биржи, в тот день акции Samsung Electronics закрылись на уровне 317 000 вон, что на 5,84% больше, чем в предыдущий торговый день. Рыночная капитализация составляет 18,53 триллиона вон.

Приоритетный акции Samsung Electronics выросли на 6,08% до 202 500 вон, рыночная капитализация которых составляет 162,48 трлн вон. Совокупная рыночная капитализация составила 215,755 триллиона вон, что значительно превысило 2 000 триллионов вон.

Рыночная капитализация удвоилась всего за четыре месяца после того, как в январе она превысила 1 триллион вон общей рыночной капитализации. Впервые рыночная капитализация одной компании, включая привилегированные акции, превысила 2000 триллионов вон.

Samsung Electronics объявила сегодня утром, что впервые в отрасли отправила образцы HBM4E. Одновременно применялся 1c DRAM (6 поколения 10 нанометров), проверенный предыдущим поколением HBM4, и 4-нано литейный процесс. Скорость до 16 Гбит/с (гигабит в секунду), что на 20% выше, чем у HBM4. Реализуя пропускную способность на уровне 4 ТБ (терабайт) в секунду, значительно повысили общую сложность технологий, таких как нагрев, энергоэффективность и технологии низкого уровня.

Что касается емкости, то она увеличила мощность более чем на 30% по сравнению с предыдущей моделью до 48 ГБ (гигабайт) на 12-й ступени. В будущем планируется расширить линейку до 32 ГБ (8 ступеней) и 64 ГБ (16 ступеней) в соответствии с обстоятельствами клиентов. Применение технологии оптимизации конструкции и структуры упаковки с низкой мощностью улучшило энергоэффективность на 16%, а характеристики теплостойкости более чем на 14%.

Анализ показывает, что Samsung Electronics стремительно начала поставлять образцы HBM4E для своих глобальных клиентов, поддерживая стабильные поставки.

С другой стороны, SK Hynix также продолжила свой рост. SK Hynix закрылся на уровне 2 333 000 вон, что на 1,92% больше, чем на поле боя. Рынок однажды взлетел до 2,379 миллиона вон, побив рекордный уровень в течение дня (2358 000 вон, 27 мая). Рыночная капитализация SK Hynix составила 1662 734,6 миллиарда вон. Это составляет 89,72% рыночной капитализации Samsung Electronics.

© STARNEWS. Đã đăng ký bản quyền. Cấm sao chép hoặc phân phối lại

*Этот контент переведен с помощью ИИ.Оригинал