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SKハイニックスが日本にメモリー半導体の合弁工場を建設する案を推進する。 急増する人工知能(AI)半導体の需要に対応しながら、生産コストを削減するための布石だ。 崔泰源(チェ·テウォン)SKグループ会長が工場建設について具体的に言及したのは今回が初めてだ。
SKグループの崔泰源(チェ·テウォン)会長は31日、仙台で開かれた韓日商工会議所会議に出席し、ブルームバーグ通信とのインタビューで、「合弁工場の敷地として、日本全域を見ている。 電力と用水が豊富なところなら日本国内のどこでも考慮している」と明らかにした。
ただ、潜在的パートナーや具体的な日本国内の候補地、生産品目などについてはコメントを控えた。
彼は「電力と用水供給が円滑なところならばどこでも対象になりうる」と強調した。 ただ、該当事業の潜在的パートナーや日本国内の具体的な位置についての質問には答えなかったという。
今回の発言は、現地の顧客会社や供給業者との協力を強化するための行動の一環だという解釈が出ている。 SKハイニックスは、東京に本社を置くフラッシュメモリーメーカーのキオクシアの持分約14%を間接的に保有している。 日本には広島に工場を置くマイクロンテクノロジーをはじめ、SKハイニックスの主要素材·装備協力会社であるナミックス、東京エレクトロンなどもある。 任天堂とソニーグループは主要顧客会社だ。
日本政府の積極的な支援も影響を及ぼしたものと分析される。 日本政府はTSMCなど海外半導体企業の自国内生産施設の拡充に大規模な補助金を支援している。
SKハイニックスの郭魯廷(クァク·ノジョン)社長は27日、米インディアナ州で行われた起工式直後、「(日本)顧客や供給業者と共にNAND型フラッシュ市場をどのように共同開発できるかを調べている」と述べた。
一方、SKハイニックスは急増するメモリー半導体の需要に対応するため、生産能力の拡充に拍車をかけている。 今月、龍仁(ヨンイン)半導体クラスター第2期ファブ(Y2)に35兆2000億ウォン、清州(チョンジュ)NAND生産基地M17に19兆1000億ウォンなど、計54兆3000億ウォンの投資を確定した。 米国では38億7000万ドル(約5兆3100億ウォン)を投入し、次世代高帯域幅メモリー(HBM)アドバンスドパッケージング生産施設「インディアナ·ファブ」を建設している。
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